300A 650V 70 um Thin IGBTs with Double-Sided Cooling

 300A 650V 70 um Thin IGBTs with Double-Sided Cooling 

IGBT fino de 70 um(micrômetro) com duplo lado de resfriamento de 300A e 650V

 Hsueh-Rong Chang 1, Jiankang Bu 1, George Kong 2 and Ricky Labayen 3 

1 Automotive Power Switches Development, 2 Temecula Manufacture Center, 3 Power Device Characterization Lab. 

International Rectifier Corp. 101 N. Sepulveda Blvd, El Segundo, CA 90245 

Phone: 310-726-8854, Email: hrchang1@irf.com 

 Abstract— Large IGBTs with a current rating of 300A and a blocking voltage of 650V on ultra thin wafers have been successfully developed with double-sided cooling capability. The deposition of solderable metals on the front and back sides of the IGBT produced flat thin wafers with less than 2 mm warpage and good mechanical yield. A large reduction of on-state voltage drop 390 mV at 300A is achieved in a wirebond-less Cu-clip package. The combination of lower on-state voltage drop and larger heat exchange area increases the IGBT current carrying capability by 200%. 

Resumo - Grandes IGBTs com classificação de corrente de 300A e tensão de bloqueio de 650V numa pastilha ultra fina foi desenvolvido com sucesso com duplo lado de capacidade de resfriamento. O depósito de metais soldáveis no lado da frente e de trás do IGBT produziu uma fina camada de pastilha de menos de 2mm de empenamento e bom rendimento mecânico. Uma grande redução da queda de tensão do estado-on 390mV em 300A é alcançada numa wirebond*-less Cu-clip package. A combinação de baixa queda de tensão no estado-on e uma grande area de troca de calor aumenta a capacidade de condução de corrente do IGBT em 200%.

N.T.:

* Wire bonding is the method of making interconnections between an integrated circuit (IC) or other semiconductor device and its packaging during semiconductor device fabrication. Although less common, wire bonding can be used to connect an IC to other electronics or to connect from one PCB to another. Wire bonding is generally considered the most cost-effective and flexible interconnect technology, and is used to assemble the vast majority of semiconductor packages.